Transistors - FETs, MOSFETs - RF,Discrete Semiconductor Products

Таблицы данных	Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
	MRFE6S9135HR5 FET RF 66V 940MHZ NI-880 Freescale Semiconductor	2855	92.96	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	940MHz	21dB	28 V	-	-	1 A	39W	66 V
Таблицы данных	MRF8S9202NR3 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	2470	94.14	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	920MHz	19dB	28 V	-	-	1.3 A	58W	70 V
Таблицы данных	VRF2944 MOSF RF N CH 170V 50A M177 Microchip Technology	2850	197.88	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	N-Channel	30MHz	22dB	50 V	50A	-	250 mA	400W	170 V
Таблицы данных	BLF7G10L-250,112 RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F NXP USA Inc.	3927	102.56	- + Добавить Расследования	Tube	-	Active	LDMOS	920MHz ~ 960MHz	19.5dB	30 V	-	-	1.8 A	60W	65 V
Таблицы данных	IGN1011L70 GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND Integra Technologies Inc.	3561	222.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	GaN HEMT	1.03GHz ~ 1.09GHz	22dB	50 V	-	-	22 mA	80W	120 V
Таблицы данных	BLF7G10LS-250,112 N-CHANNEL, MOSFET NXP USA Inc.	2458	103.21	- + Добавить Расследования	Tube	-	Active	LDMOS	869MHz ~ 960MHz	19.5dB	30 V	5µA	-	1.8 A	250W	65 V
	MRF6S18140HR5 FET RF 68V 1.88GHZ NI880 Freescale Semiconductor	2940	103.95	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	1.88GHz	16dB	28 V	-	-	1.2 A	29W	68 V
Таблицы данных	BLF7G27LS-140,112 RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI NXP USA Inc.	2714	108.63	- + Добавить Расследования	Tube	-	Active	LDMOS	2.5GHz ~ 2.7GHz	16.5dB	28 V	28A	-	1.3 A	30W	65 V
Таблицы данных	BLF7G27L-150P,112 RF TRANSISTOR NXP USA Inc.	3548	111.33	- + Добавить Расследования	Tube	-	Obsolete	LDMOS (Dual), Common Source	2.5GHz ~ 2.7GHz	16.5dB	28 V	37A	-	1.2 A	30W	65 V
Таблицы данных	BLF7G24L-160P,112 RF TRANSISTOR NXP USA Inc.	3376	113.82	- + Добавить Расследования	Tube	-	Obsolete	LDMOS (Dual), Common Source	2.3GHz ~ 2.4GHz	18.5dB	28 V	-	-	1.2 A	30W	65 V
Таблицы данных	MRF7S18170HR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	3625	114.51	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	1.805GHz ~ 1.88GHz	17.5dB	28 V	10µA	-	1.4 A	50W	65 V
	MRFE6S9201HSR5 FET RF 66V 880MHZ NI-780S Freescale Semiconductor	2347	114.65	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	880MHz	20.8dB	28 V	-	-	1.4 A	40W	66 V
Таблицы данных	BLF2425M7LS140,112 RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI NXP USA Inc.	3641	117.52	- + Добавить Расследования	Tube	-	Active	LDMOS	2.45GHz	18.5dB	28 V	-	-	1.3 A	140W	65 V
Таблицы данных	MRF8P20165WHSR5 FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 Freescale Semiconductor	3180	117.66	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS (Dual)	1.88GHz ~ 2.025GHz	14.8dB	28 V	10µA	-	550 mA	37W	65 V
Таблицы данных	VRF2933MP RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177 Microchip Technology	3642	333.03	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	N-Channel	150MHz	25dB	50 V	2mA	-	250 mA	300W	170 V
Таблицы данных	BLF7G24LS-160P,112 RF PFET, 2-ELEMENT, S BAND, SILI NXP USA Inc.	2329	120.55	- + Добавить Расследования	Tube	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	2.3GHz ~ 2.4GHz	18.5dB	28 V	-	-	1.2 A	30W	65 V
Таблицы данных	MRF8S19260HSR6 RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	2572	124.19	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	1.99GHz	18.2dB	30 V	-	-	1.6 A	74W	65 V
Таблицы данных	MRF7S19170HSR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	3188	126.05	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	1.99GHz	17.2dB	28 V	-	-	1.4 A	50W	65 V
	MRF6S19200HR5 FET RF 66V 1.99GHZ NI780 Freescale Semiconductor	2447	127.19	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	1.93GHz ~ 1.99GHz	17.9dB	28 V	-	-	1.6 A	56W	66 V
	MRF5P21180HR5 FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 Freescale Semiconductor	3673	127.54	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	2.16GHz	14dB	28 V	-	-	1.6 A	38W	65 V

Total 2760 Records«Prev 1... 48 49 50 515253 54 55...138 Next»